SILICON IGBT MODULES

SILICON IGBT MODULES (GSID150A120T2C1)

Part Number: GSID150A120T2C1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Серия: Amp+™
  • Состояние детали: Active
  • Тип IGBT: -
  • Конфигурация: Three Phase Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic): 285A
  • Мощность: 1087W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
  • Обратный ток коллектора (Max): 1mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V
  • Input: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC Thermistor: Yes
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
  • Вид монтажа: Chassis Mount
  • Корпус: Module
  • Исполнение корпуса: Module

Цена по запросу