Vishay
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP (SI3473DDV-T1-GE3)
Part Number: SI3473DDV-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI3473DDV-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET® Gen III
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 57nC @ 8V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1975pF @ 6V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 6-TSOP
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Цена по запросу