Vishay
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 (SI5499DC-T1-GE3)
Part Number: SI5499DC-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 8V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 800mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 8V
- Vgs (Max): ±5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1290pF @ 4V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 1206-8 ChipFET™
- Корпус: 8-SMD, Flat Lead
Цена по запросу