Vishay
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 (SI2311DS-T1-GE3)
Part Number: SI2311DS-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 8V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 800mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 970pF @ 4V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 710mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23-3
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу