MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252 (SUD50P04-23-GE3)

Part Number: SUD50P04-23-GE3


Documents / Media: datasheets SUD50P04-23-GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±16V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1880pF @ 20V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 45.4W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: TO-252, (D-Pak)
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу