Vishay
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 (SI2319DS-T1-GE3)
Part Number: SI2319DS-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI2319DS-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 470pF @ 20V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 750mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу