Vishay
MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8 (SIRA01DP-T1-GE3)
Part Number: SIRA01DP-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIRA01DP-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET® Gen IV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 112nC @ 10V
- Vgs (Max): +16V, -20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3490pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
- Корпус: PowerPAK® SO-8
Цена по запросу