MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 (SI7111EDN-T1-GE3)

Part Number: SI7111EDN-T1-GE3


Documents / Media: datasheets SI7111EDN-T1-GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET® Gen III
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.6V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 46nC @ 2.5V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5860pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 52W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8
  • Корпус: PowerPAK® 1212-8

Цена по запросу