MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP (SI6435ADQ-T1-E3)

Part Number: SI6435ADQ-T1-E3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.05W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-TSSOP
  • Корпус: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Цена по запросу