Vishay
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6 (SIA817EDJ-T1-GE3)
Part Number: SIA817EDJ-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIA817EDJ-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: LITTLE FOOT®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 600pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Body)
- Рассеивание мощности (Макс): 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Dual
- Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Цена по запросу