Vishay
MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT (SI8851EDB-T2-E1)
Part Number: SI8851EDB-T2-E1
Documents / Media: datasheets SI8851EDB-T2-E1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 7A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 180nC @ 8V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6900pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 660mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: Power Micro Foot® (2.4x2)
- Корпус: 30-XFBGA
Цена по запросу