MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP (SI3443BDV-T1-E3)

Part Number: SI3443BDV-T1-E3

Documents / Media: datasheets SI3443BDV-T1-E3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.1W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 6-TSOP
  • Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Цена по запросу