Vishay
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC (SI4829DY-T1-GE3)
Part Number: SI4829DY-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: LITTLE FOOT®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 210pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Isolated)
- Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу