MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 (SI2321DS-T1-E3)

Part Number: SI2321DS-T1-E3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 715pF @ 6V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 710mW (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Цена по запросу