MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK (SIS407ADN-T1-GE3)

Part Number: SIS407ADN-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SIS407ADN-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 168nC @ 8V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5875pF @ 10V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8
  • Корпус: PowerPAK® 1212-8

Цена по запросу