MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8 (SI7485DP-T1-GE3)

Part Number: SI7485DP-T1-GE3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 900mV @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 150nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
  • Корпус: PowerPAK® SO-8

Цена по запросу