Vishay
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 (SI1069X-T1-E3)
Part Number: SI1069X-T1-E3
Documents / Media: datasheets SI1069X-T1-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184 mOhm @ 940mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.86nC @ 5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 308pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 236mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SC-89-6
- Корпус: SOT-563, SOT-666
Цена по запросу