MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A (SI1031X-T1-E3)

Part Number: SI1031X-T1-E3


Documents / Media: datasheets SI1031X-T1-E3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 155mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±6V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 300mW (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SC-75A
  • Корпус: SC-75A

Цена по запросу