MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP (SI3447CDV-T1-E3)

Part Number: SI3447CDV-T1-E3


Documents / Media: datasheets SI3447CDV-T1-E3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Last Time Buy
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 30nC @ 8V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 910pF @ 6V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2W (Ta), 3W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 6-TSOP
  • Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Цена по запросу