MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 (SI2333DS-T1-GE3)

Part Number: SI2333DS-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SI2333DS-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 6V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 750mW (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Цена по запросу