Vishay
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET (SI5411EDU-T1-GE3)
Part Number: SI5411EDU-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI5411EDU-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 6A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 105nC @ 8V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 6V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® ChipFet Single
- Корпус: PowerPAK® ChipFET™ Single
Цена по запросу