MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263 (SQM50N04-4M0L_GE3)

Part Number: SQM50N04-4M0L_GE3


Documents / Media: datasheets SQM50N04-4M0L_GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6100pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 150W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: TO-263 (D²Pak)
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу