Vishay
MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO (SI4774DY-T1-GE3)
Part Number: SI4774DY-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SI4774DY-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: SkyFET®, TrenchFET®
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.3V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14.3nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1025pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Body)
- Рассеивание мощности (Макс): 5W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу