Vishay
MOSFET N-CHAN 60V (SIR188DP-T1-RE3)
Part Number: SIR188DP-T1-RE3
Documents / Media: datasheets SIR188DP-T1-RE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET® Gen IV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.6V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1920pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
- Корпус: PowerPAK® SO-8
Цена по запросу