Vishay
MOSFET N-CHAN 600V (SIHB22N60AEL-GE3)
Part Number: SIHB22N60AEL-GE3
Documents / Media: datasheets SIHB22N60AEL-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: EL
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1757pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 208W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D²PAK (TO-263)
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу