Vishay
MOSFET N-CHAN 30V (SIRA12BDP-T1-GE3)
Part Number: SIRA12BDP-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIRA12BDP-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET® Gen IV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V
- Vgs (Max): +20V, -16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1470pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 5W (Ta), 38W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
- Корпус: PowerPAK® SO-8
Цена по запросу