MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK (IRFBF20S)

Part Number: IRFBF20S


Documents / Media: datasheets IRFBF20S


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 900V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 490pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: D2PAK
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу