MOSFET N-CH 650V 24A TO263

MOSFET N-CH 650V 24A TO263 (SIHB24N65ET1-GE3)

Part Number: SIHB24N65ET1-GE3

Documents / Media: datasheets SIHB24N65ET1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: E
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2740pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 250W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: TO-263 (D²Pak)
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу