MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 (SIR688DP-T1-GE3)

Part Number: SIR688DP-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SIR688DP-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.7V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 66nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3105pF @ 30V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
  • Корпус: PowerPAK® SO-8

Цена по запросу