MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO (SI4062DY-T1-GE3)

Part Number: SI4062DY-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SI4062DY-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 32.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.6V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3175pF @ 30V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 7.8W (Tc)
  • Рабочая температура: -
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SO
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу