Vishay
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK (SUM50020EL-GE3)
Part Number: SUM50020EL-GE3
Documents / Media: datasheets SUM50020EL-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 126nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11113pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 375W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-263 (D2Pak)
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу