MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263 (SIHB35N60E-GE3)

Part Number: SIHB35N60E-GE3

Documents / Media: datasheets SIHB35N60E-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2760pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 250W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: D²PAK (TO-263)
  • Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Цена по запросу