MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8 (SIHH14N60E-T1-GE3)

Part Number: SIHH14N60E-T1-GE3


Documents / Media: datasheets SIHH14N60E-T1-GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255 mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1416pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 147W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® 8 x 8
  • Корпус: 8-PowerTDFN

Цена по запросу