Vishay
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8 (SIHH11N60E-T1-GE3)
Part Number: SIHH11N60E-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIHH11N60E-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339 mOhm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1076pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 114W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 8 x 8
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу