MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP (SIHF8N50L-E3)

Part Number: SIHF8N50L-E3


Documents / Media: datasheets SIHF8N50L-E3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 873pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 40W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-220 Full Pack
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack

Цена по запросу