MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK (SIHU3N50D-E3)

Part Number: SIHU3N50D-E3

Documents / Media: datasheets SIHU3N50D-E3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 175pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 69W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: TO-251AA
  • Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Цена по запросу