Vishay
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8 (SQS484EN-T1_GE3)
Part Number: SQS484EN-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQS484EN-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16.4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1855pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 62W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
Цена по запросу