Vishay
MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT (SI8816EDB-T2-E1)
Part Number: SI8816EDB-T2-E1
Documents / Media: datasheets SI8816EDB-T2-E1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 195pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 500mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 4-Microfoot
- Корпус: 4-XFBGA
Цена по запросу