Vishay
MOSFET N-CH 30V 63A TO252 (SUD50N03-09P-GE3)
Part Number: SUD50N03-09P-GE3
Documents / Media: datasheets SUD50N03-09P-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2200pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-252, (D-Pak)
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу