MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8 (SI5402BDC-T1-E3)

Part Number: SI5402BDC-T1-E3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.3W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 1206-8 ChipFET™
  • Корпус: 8-SMD, Flat Lead

Цена по запросу