MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 (SI1416EDH-T1-GE3)

Part Number: SI1416EDH-T1-GE3

Documents / Media: datasheets SI1416EDH-T1-GE3

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-363
  • Корпус: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Цена по запросу