Vishay
MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 (SIS778DN-T1-GE3)
Part Number: SIS778DN-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIS778DN-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 42.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1390pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Body)
- Рассеивание мощности (Макс): 52W (Tc)
- Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
Цена по запросу