Vishay
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 (SIRC16DP-T1-GE3)
Part Number: SIRC16DP-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIRC16DP-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET® Gen IV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.96 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
- Vgs (Max): +20V, -16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5150pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 54.3W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
- Корпус: PowerPAK® SO-8
Цена по запросу