MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP (IRFD224PBF)

Part Number: IRFD224PBF

Documents / Media: datasheets IRFD224PBF

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 250V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 380mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 260pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
  • Корпус: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Цена по запросу