Vishay
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET (SI5858DU-T1-GE3)
Part Number: SI5858DU-T1-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: LITTLE FOOT®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 16nC @ 8V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 520pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: Schottky Diode (Isolated)
- Рассеивание мощности (Макс): 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® ChipFet Dual
- Корпус: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Цена по запросу