Vishay
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 (SIS424DN-T1-GE3)
Part Number: SIS424DN-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIS424DN-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 19.6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8
- Корпус: PowerPAK® 1212-8
Цена по запросу