Vishay
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC (SI4876DY-T1-E3)
Part Number: SI4876DY-T1-E3
Documents / Media: datasheets SI4876DY-T1-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 21A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.6W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SO
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу