MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC (SI4490DY-T1-E3)

Part Number: SI4490DY-T1-E3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.56W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-SO
  • Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Цена по запросу