Vishay
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 (IRF640L)
Part Number: IRF640L
Documents / Media: datasheets IRF640L
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: I2PAK
- Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Цена по запросу