MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK (SIE836DF-T1-E3)

Part Number: SIE836DF-T1-E3

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 4.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 5.2W (Ta), 104W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 10-PolarPAK® (SH)
  • Корпус: 10-PolarPAK® (SH)

Цена по запросу